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功率半导体模块碳化硅MOSFET综合测试系统
  • 功率半导体模块碳化硅MOSFET综合测试系统
  • MOSFET是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件,其静态特性与开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性,直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的静态特性与开关性能具有极其重要的实际意义。EN-AC1100型MOSFET综合测试系统,是针对MOSFET器件的静态特性、开关特性、栅极电荷、雪崩以及二极管的反向恢复特性专门设计的一套全自动测试系统,可对额定电流不超过3500A,额定电压不超过100V的专有封装外形的器件进行测试。该测试系统具有如下特点:该测试系统是一
  • 2019-09-17 19:26  [陕西西安市]
  • 西安易恩电气科技荣鼎娱乐官网  [未核实]
188.00/台
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SIC器件MOSFET测试仪(西安易恩电气)
  • SIC器件MOSFET测试仪(西安易恩电气)
  • 1 测试范围该套测试设备主要可测试以下参数:适用于电流不超过3500A、电压不超过150V的MOSFET静态参数、电流不超过900A、电压不超过50V的MOSFET开关时间、栅极电荷、雪崩耐量以及二极管反向恢复特性的测试。2. 测试原理简介该测试台通过电容充放电原理产生电流波形,测试时根据不同的测试条件,设定好测试电压,再通过调节不同的电感值和选择不同的测试脉冲宽度来输出测试要求的电流值,测试的电压和电流波形同时被采集到示波器,并由示波器与工控机通过以太网通讯,将采集数据传输给计算机,计算机经过处理计算后
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半导体厂家质量部专用碳化硅SIC功率器件测试仪
  • 半导体厂家质量部专用碳化硅SIC功率器件测试仪
  • 西安易恩电气科技荣鼎娱乐官网一直致力于分立器件测试设备、元器件检测设备、IGBT测试仪、功率器件测试系统的生产,以先进的生产技术和设备,具有完善的质量保证体系。优质的分立器件测试设备、元器件检测设备、IGBT测试仪、功率器件测试系统,精湛的技术,科学管理,满足了客户的需要,成为顾客心中最信赖的分立器件测试设备、元器件检测设备、IGBT测试仪、功率器件测试系统厂家,西安易恩电气科技荣鼎娱乐官网不会辜负消费者对我们的信赖与支持,立志为您提供更低的分立器件测试设备、元器件检测设备、IGBT测试仪、功率器件测试系统价格和
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日本岩崎 替代品 易恩晶体管特性曲线图示仪
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实验室专用半导体分立器件高精度选型测试设备
  • 实验室专用半导体分立器件高精度选型测试设备
  • 西安易恩电气坐落于西安渭北工业装备区,是陕西省政府重点支持的高新技术企业。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。现已成为国内电力电子行业知名的测试方案供应商。公司以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导,在此基础上相继推出全自动大功率IGBT参数测试系统,分立器件综合测试仪,功率器件图示系统,晶体管图示仪,MOS动静态测试测试仪,晶闸管测试仪,雪崩、浪涌、高温阻断、高温反偏、栅电荷测试系统等系列产品。广泛应用于科研院所、能源、电力电子、交通、船舶制造、高校等诸多领域。分立器件
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ENJ30200  IGBT静态参数测试系统
100000.00/台
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实验室专用功率碳化硅MOSFET电参数测试系统
  • 实验室专用功率碳化硅MOSFET电参数测试系统
  • MOSFET综合测试系统技术指标1 栅极-源极电压VGSS及漏电流IGSS电压VGS:-20V-20V 误差±3%±0.2V 电流IGSS:0.01-10µA误差±3%±0.01µA漏极电压:VDS=0V2 漏极-源极电压VDSS及电流IDSS漏极电压VDSS:0-150V 误差±3%漏极电流IDSS:0.1µA-10mA 误差±5%±0.1µA栅极电压VGS=0V3 栅极-源极阀值电压VGS(th)VGS(th):0.1-10V 误差±3%±0.1V显示栅极-源极阈值电压VGS(th)VDS= VGS漏
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SCR器件晶闸管静态全参数测试仪(西安易恩电气)
  • SCR器件晶闸管静态全参数测试仪(西安易恩电气)
  • 本试验设备可对大功率SCR器件的电气特性参数进行测试,该测试系统是一套大电流、高电压的测试设备,对设备的电气性能要求高,系统的测试控制完全采用自动控制,测试可按测试员设定的程序进自动测试。测试方法符合 JB/T7626-2013 中的相关标准。本设备采用计算机自动控制系统,后台软件实时监控、自动处理目标数据,具有测试精度高、操作方便、高效等优点。通过计算机系统可对测试的结果数据进行保存,并且以excel文件形式输出保存。或直接连接打印机系统输出标签合格证,系统安全可靠,运行稳定。该设备采用研华工业计算机控
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ENG1220  功率循环测试系统
100000.00/台
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易恩供应晶体管特性曲线图示仪
10000.00/台
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西安供应半导体分立器件测试仪
10000.00/台
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ENI1220  IPM测试系统
100000.00/台
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军工院所、高校、半导体器件生产厂商专用分立器件测试仪
  • 军工院所、高校、半导体器件生产厂商专用分立器件测试仪
  • 系统概述西安易恩电气 EN-2005B功率器件综合测试系统,设备扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品质范围。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。系统特征测试范围广升级扩展性强,通过选件可提升电压电流,和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车检修等测试范围 /测试参数1、二极管DIODE
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美国ITC 替代品 易恩大功率IGBT静态测试仪
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瑞士LEMSYS 替代品 易恩IGBT动态参数测试仪
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晶闸管触发特性、维持电流测试仪
  • 晶闸管触发特性、维持电流测试仪
  • 一.概述DBC-032 型晶闸管触发特性、维持电流测试仪是测试晶闸管门极参数的重要测试设备。测试单元符合国标 GB/JB/T7626-94。本测试设备可用以测试晶闸管的 VGT、IGT、 IH 参数该测试台是专为测试晶闸管的门极参数而设计的,是晶闸管出厂检测的必备检测设备。该测试台具有测试精度高、测试操作方便、稳定性好等优点。二.技术指标1.门极触发电压:高档 0.20~5.00V±5%,分辨率:0.02V低档 0.10~2.50V±5%,分辨率:0.01V测试频率:单次.2.触发电流:高档 1-500m
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晶闸管阻断特性测试仪
  • 晶闸管阻断特性测试仪
  • 一、概述DBC-028-1030型晶闸管阻断特性测试仪是可用于测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及二极管的VRRM、IRRM参数以及其它半导体器件的相关参数测试的专业设备。它的测试方法符合GB/JB/T7626-94标准。该测试台具有漏电流自动保护功能,过电压自动保护功能。阻断电压和漏电流均采用数字表显示,读数准确、直观。二、技术参数:1. 输出峰值电压:0.20-10.00KV ,分辨率:10V 精度3%±10V 。低档0.02-2KV 分辨率:0.1KV 精度3%±0.01KV高档2
  • 2019-09-17 19:26  [陕西西安市]
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美国STI替代品易恩半导体分立器件测试系统
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LC2200袖珍式测振仪使用说明书安铂LC2200
  • LC2200袖珍式测振仪使用说明书安铂LC2200
  • LC-2200袖珍式测振仪使用说明书安铂LC-2200LC2200AL低频型(一体式)可测量加速度、速度、位移量5Hz~10KHzLC2200ANC测振测温型(一体式)可测量加速度、速度、位移量及温度10Hz~10KHzLC2200ALC低频测振测温型(一体式)可测量加速度、速度、位移量及温度5Hz~10KHzLC2200AL低频型(一体式)可测量加速度、速度、位移量5Hz~10KHzLC-2200袖珍式测振仪使用说明书安铂LC-2200LC2200AN测振测温型(一体式)可测量加速度、速度、位移量及温度
  • 2019-09-17 15:08  [江苏泰州市]
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供应测振仪BSZ608B安铂品牌
1.00/台
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